独立电子元件完成参数 独立电子元件完成参数

分立器件成品参数
平面高压MOS
SVF28N50PN是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，其制造工艺基于士兰微电子所开发的F-CellTM平面高压VDMOS技术。通过采用先进的制造工艺以及条状原胞结构设计，该器件在导通电阻、开关性能及雪崩击穿耐受能力方面均表现出显著优势。
该器件可广泛应用于AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器以及高压H桥PWM马达驱动等场景。

主要特点
• 额定电流为28A，耐压值达500V，典型导通电阻RDS(on)为0.15W@VGS=10V
• 具备较低的栅极电荷量
• 反向传输电容数值较小
• 开关操作响应迅速
• 在dv/dt性能方面实现优化提升
• 通过100%雪崩测试验证
• 管脚镀层不含铅元素
• 符合RoHS环保标准
技术文档

200A，650V IGBT模块
SGM200HF6A1TFD模块具备出色的性能表现，广泛应用于不间断电源系统、交流变频驱动装置以及电焊设备等多个领域。
主要特性
• 额定电流为200A，额定电压为650V，集电极-发射极饱和压降（典型值