工艺技术：采用14nm和28nm技术

工艺技术：14nm与28nm工艺
中芯国际依托成熟且稳定的工艺技术，推动芯片设计向更精细、更复杂的方向发展，使得产品在性能提升的同时功耗降低，并实现芯片尺寸的优化。
为满足全球客户多样化的需求，提供从0.35微米至14纳米制程的工艺设计与制造服务，涵盖逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、闪存内存、EEPROM、影像传感器，以及硅上液晶微显示技术。*
公司具备高效强大的制造能力，并注重成本效益的原型技术，同时提供包括光罩制造在内的全方位高附加值服务，致力于协助客户加快产品上市进程并有效控制成本。
*中芯国际的制造流程和技术均符合行业最高标准；其制程与一般晶圆代工业界标准保持兼容性。中芯国际从未表示过其制程是基于任何一家公司或与其类似、相符等。
14纳米
中芯国际自主研发的第一代14纳米FinFET技术取得重大突破，并于2019年第四季度实现量产，标志着中国大陆在集成电路自主研发领域达到了当前最先进的技术水平。
特点

应用产品
企业所开发的FinFET技术主要面向5G通信、人工智能、物联网、消费类电子以及汽车电子等前沿行