三极管与MOS管的开关电路分析

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在前面的两篇文章中，我们通过系统性地学习三极管和MOS管的相关知识，在掌握了基础概念的前提下形成了清晰的理解。接下来将探讨一个简单的数字电路学习如何应用三极管和MOS管在实际的数字电路设计与操作中。

效果一：S2闭合，则无论S1闭合与否，M1和M2均未导通，无输出。

S2闭合时，基极经由R11连接至+5V电源并接地发射极，在晶体管Q9中形成工作回路。基于其导通特性可知，在此情况下Q9的集电极与发射极之间的压降为0.3伏特；由于发射极被接地，则可确定Q9的集电极电压值仅为0.3伏特。由此可知与其相连的Q6管子的基极电压也为0.3伏特；而由于该管子的基-射结电压Ube小于其饱和阈值（即小于0.7伏特），因此该管子处于未导通状态；从而使得与其集电极相连的PMOS管M1栅态与漏态均无压降发生，并因此未被激活；同理当S2闭合时，在另一个分支电路中Q8管子的基极为+5V电源端接并接地于其发射端点，在此情况下Q8同样导通并呈现出与前一情况完全一致的状态：即其集电端电压为0.3伏特；进而导致与其相连的NMOS管M2也未能导通；综上