MOS管开关特性的研究

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在数字电路领域中，MOS管通常被视为一种开关元件使用。因此，在各种需要电子开关的电路设计中都能见到它们的身影。基于其构成特征以及导通特性，MOS管可以分为四类：

g被称为栅极,d为漏极,s是源极,B为衬底层。\n\n在工业生产过程中,\nB与s相连,\n因此,MOS管组件通常具有三个电极。\n增强型MOS管的使用更为普遍。\n下图展示了原理图中增强型NMOS管和PMOS管的符号表示：

在漏级与源级之间存在着一个嵌入式二极管。这个设备被称为体动圈式电容器，在用于驱动具有线圈负载的电路（如马达）时起着重要作用。

在NMOS晶体管中，在一般情况下（即栅向-漏级电压超过一定阈值）才会导电；而施加于漏级的电压则会在两种晶体管中均导致电流I_d的产生。具体而言，在PMOS晶体管中（即栅向-漏级连接到电源电位），当栅向