拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程(第10至13讲视频学习记录)
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p10
吉尔伯特单元；
在作为混频器应用的情形下；
p11
电流镜
p12
CMRR与偏置
关于五管OTA的共模特性；
五管结构与全差分对的性能比较
偏置电路设计
p13
一种更为精确的实现方式，即拉扎维书中图5.19所示；
五管OTA，亦可称为有源电流镜结构
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p10
短沟道效应除了会导致沟道长度调制之外，还可能引发速度饱和现象；
然而在拉扎维所著的书籍中并未涉及这一问题，其观点仍停留在器件工作于弱反型或强反型的状态；
但在某些先进制程技术或高速输入输出电路中，速度饱和现象确实存在，此时需通过增加沟道长度等手段加以应对；
速度饱和将导致晶体管跨导保持恒定，不再发生变化；
此外还提及了薄氧化层晶体管与厚氧化层晶体管的选择差异，通常数字电路倾向于采用前者，而模拟电路则更常选用后者。
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