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Semiconductor materials

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半导体材料技术
参考文献链接
https://mp.weixin.qq.com/s/g5U94RTJ44fbi4kxC0ptBg
https://mp.weixin.qq.com/s/xMVKwZY3yviSV0G1yHukpg
半导体硅片
半导体材料属于一类具备介于导体与绝缘体之间的导电性能、可用于制造半导体器件及集成电路的电子材料,是整个半导体工业发展的基础。对这类材料的探究始于19世纪,至今已演进至第四代,各代之间相互补充、协同发展。
• 第一代半导体:以硅(Si)、锗(Ge)等为主要代表,属于由单一元素构成的元素类半导体。硅基半导体及其集成电路的发展促成了微型计算机的诞生,并推动了信息产业的迅速崛起。
• 第二代半导体:以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等为代表,还包括三元化合物如GaAsAl、GaAsP,以及固溶体和非静态类半导体。随着以光通信为核心的信息高速公路建设及社会信息化进程的加快,第二代材料展现出独特优势。其中,砷化镓和磷化铟制成的激光器成为光通信系统的关键组件;同时,砷化镓高速器件也为光纤通信及移动通信领域开辟了新的发展方向。
• 第三代半导体:以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料。其具有高击穿电场、高热传导能力、高电子饱和速度以及优异的抗辐射特性,在高温、高频、抗辐射及大功率电子器

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