IXFP4N100参数代换型号 资料表（PDF）中文版
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IXFP4N100参数及代换KNX41100A
N沟道MOSFET–KNX41100A具备高达1000V的漏源击穿电压，最大漏极电流可达2A，能够作为2sk119的替代方案，主要适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩以及光伏逆变器等辅助电源系统。
IXFP4N100参数及代换KNX41100A
KNX41100产品特征：
符合RoHS标准
RDS（ON）典型值为9.6Ω@VGS=10V
具有较低的栅极充电特性，有助于最大限度地降低开关过程中的能量损耗
配备快速恢复特性的体二极管
IXFP4N100参数及代换KNX41100A
IXFP4N100参数及其替代方案KNX41100A
IXFP4N100参数及其替代方案KNX41100A
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