处理杨氏模量(E)的方式对封装翘曲的影响程度居然这么大

在技术持续进步的推动下，芯片封装的集成程度不断提升，其体积也随之扩大，由此引发的封装翘曲问题日益受到重视。当前已形成的基本共识是：导致芯片封装发生翘曲的主要因素在于封装结构中所采用的不同材料之间热膨胀系数（CTE）的不匹配现象，然而材料的杨氏模量E对封装翘曲的影响同样不容忽视。本文将通过对比不同杨氏模量处理方式对仿真结果所产生的影响，进一步探讨其作用机制。

本文选取广泛使用的FCCSP封装作为研究对象，为更清晰地揭示不同杨氏模量处理方法对翘曲结果的具体影响，将采用strip形式进行封装设计。所设定的封装尺寸为240.5*95mm，温度载荷范围设定在175℃至25℃之间，并模拟塑封材料的固化过程。相关封装模型及其有限元网格如下：

以下表格列出了封装过程中所涉及的各项材料参数：

在常规情况下，所获取的杨氏模量数据通常如上表中Molding材料所示，其中包括玻璃化转变温度（Tg值）、25℃时的杨氏