高压MOS管1kV/2A 代替IXFP4N1kF 数据表 PDF
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高压MOS管1000V/2A 可替代IXFP4N100
在当前的半导体市场环境下，电压等级处于1000-1500V之间的超高压MOSFET产品几乎被国外品牌所占据，这不仅带来了较高的采购成本，还伴随着较长的供货周期等不利因素。针对这一现状，可易亚半导体（KIA）对1000V级别的超高压MOS器件进行了深入的技术改进与研发。依托多年来的技术积累与产品经验，成功推出具有更高耐压能力、更低导通内阻的新型超高压MOS管产品。此举不仅有效填补了国内在该领域的技术空白，也成功打破了进口品牌的市场垄断格局，同时显著降低了用户对国外同类产品的依赖程度。
具备超高耐压特性的此类器件广泛应用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、电动汽车充电桩以及光伏逆变器等辅助电源系统中。
主要特性
满足RoHS环保标准
典型导通电阻RDS（ON）为9.6Ω@VGS=10V
栅极电荷量较低，有助于减少开关过程中的能量损耗
体二极管具备快速恢复特性
可作为艾赛斯IXFP4N100的替代方案
高压MOS管1000V/2A 可替代IXFP4N100
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