SR锁存器的工作原理

SR锁存器工作原理解析

以下展示的是采用或非门构建的SR锁存器结构
SR锁存器的CMOS门电路实现方式（需结合一定模拟电子电路知识进行理解）

模电小知识：带有小圆圈标记的MOS管为PMOS管，无小圆圈标记的则为NMOS管；PMOS与NMOS的导通电压存在差异，当PMOS的栅极接高电平（高于开启电压）时，PMOS才会导通，否则处于关闭状态；而NMOS在栅极接低电平时才会导通，否则保持关闭。
另外，我使用“Q非”表示Q的补集，由于无法直接输入符号。

接下来以CMOS电路为基础分析不同输入条件下的输出情况：

1. S=0，R=0。
   （1）分析S对MOS管的影响：S＝０将导致T1导通、T3关闭；
   （2）分析R对MOS管的影响：R＝０将导致T5导通、T7关闭；
   其余MOS管的状态由Q和Q非决定，Q的具体状态尚不明确，但可以假设Q＝１或Q＝０；
   （3）假设Q＝１，则T4导通、Q非连接至低电平（GND），此时Q非＝０，因此T6也导通。结合前面的分析可知T5处于导通状态，则T5和T6共同构成的路径使Q连接至高电平，