高压MOS管KNP41100A 2A/1kV PDF手册

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V

当前半导体市场中，1000-1500V超高压MOSFET产品主要由国外品牌占据主导地位，存在售价偏高、供货周期较长等问题。为应对这一现状，可易亚半导体（KIA）围绕1000V超高压MOS器件展开了深入的技术改进工作。依托长期在产品技术方面的积累，该公司成功研发出具有更高耐压能力及更低导通内阻的超高压MOS管产品。此举不仅在国内实现了相关领域的技术突破，有效打破了进口品牌的市场垄断，同时也显著降低了客户对海外产品的依赖程度。

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V

N沟道MOSFET–KNX41100A具备高达1000V的漏源击穿电压，其最大漏极电流可达到2A，能够作为2SK119/IXFP4N100的替代器件，主要应用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩以及光伏逆变器等辅助电源系统中。

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V

产品特性：
满足RoHS标准
典型RDS（ON）值为9.6Ω，测试条件为VGS=10V
具备较低的栅极充电需求，有助于有效降低开关过程中的能量损耗
配备响应迅速的体二极管，具备优异的恢复性能

高压MOS管KNP41100A 2A/1000V

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