薄膜技术创新点

薄膜产品技术亮点
ALD 设备（工作原理）
工作原理
原子层沉积技术通过分别输送参与反应的前驱物，如图1所示，采用依次导入单一前驱物的方式，将其引导至反应腔体内。该过程依靠基材表面的饱和化学吸附作用，每次仅形成单层前驱物吸附。未被吸附的多余前驱物以及生成的副产物则通过惰性气体Ar或N2进行冲洗，从而实现自我限制的沉积过程。

如图1所示，一个基础的原子层沉积流程由四个阶段构成：

1. 首个前驱体将被输送至基材表面，其化学吸附过程在表面达到饱和状态后会自然停止。
2. 采用惰性气体Ar或N2以及副产物进行注入，以清除基材表面多余的首个前驱体。
3. 注入第二个前驱体，并使其与已化学吸附在基材表面的首个前驱体发生反应，生成目标薄膜。该反应过程持续至所有吸附于基材表面的首个前驱体完全参与反应为止，随后再次注入并冲洗以去除过量的第二个前驱体。
4. 惰性气体Ar或N2及副产物继续被引入。

上述反应流程包含以下步骤：首先注入第一前驱体、随后进行冲洗、接着注入第二前驱体并再次冲洗，这一系列操作被定义为一个循环(cycle)。而单个循环所需的时间则等于第