EEPROM,NAND,NOR,QSPI FLASH的区别

一，常见存储器
RAM —— 特点：具备数据存储能力，断电后数据消失，访问速度快
SRAM：静态存储器。在进行访问操作前无需执行复杂的初始化流程，即可直接进行访问
DRAM:动态存储器特点：在访问之前必须完成初始化操作，仅需对相应的控制器（此控制器也称为内存控制器）进行初始化
SDRAM,DDR...
ROM
NorFlash
硬件接口：采用总线方式连接，与内存类似，包含地址线和数据线，因此NorFlash可以实现程序的运行与加载，但其速度相较于内存要慢许多。擦写次数可达10万次。没有坏块的问题，相较于Nand具有更高的稳定性。NandFlash

二，名词解释

ROM：Read Only Memory，即只读存储器，在手机、计算机等设备中用于存储信息。然而如今所指的ROM已不仅仅局限于只读功能，也支持写入操作。

RAM：Random Access Memory，随机存取存储器，在手机和计算机中作为运行内存使用。

SRAM：Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器，在供电状态下能够保持数据内容不变；一旦断电则数据将丢失。这种特性使其被归类为易失性存储器（Volatile Memory）。

DRAM：Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器的主要原理是通过电容