35. DDR2内存内部结构

以下将逐一解析BRS中各个组成部分的具体含义。

BA0/A1/A2：用于设定突发读写操作的数据长度，每次连续读取或写入4位或8位数据，通常默认设置为4，具有更广泛的适用性。

A3：Burst Type，用于定义突发数据在存储模块中的排列方式，可选择顺序分布或交错分布。在顺序模式下，每个bank将被依次填满后才会切换至下一个bank；而在纠错模式中，则会在各bank之间进行错误校正。目前普遍采用顺序模式进行配置。

CAS：表示从列地址发送到总线并开始输出数据之间的延迟时间。CAS参数需在DMC与Device两端进行一致配置，在Device端通过设置DMS寄存器完成相关配置。

A7：通常设置为普通工作模式。

A8：一般情况下无需执行复位操作，建议将其配置为0。

tWR：指从数据写入完成到执行预充电操作之间的时间间隔。尽管芯片内部结构并未发生根本性变化，但通过提升总线宽度实现了性能优化。当系统时钟频率提高时，tWR的周期数也应相应增加，否则可能造成数据处理不及时的问题。

A12：用于设定主动下电过程的结束时间，通常设置为1以实现快速关闭。

BA1/BA0：主要用于确定是配置MRS（