3D NAND性能表现

3D NAND性能
在ISSCC 2021会议上，3D NAND技术的相关进展得到了充分展示。三星、SK hynix以及KIOXIA（联合Western Digital）分别介绍了其3D TLC NAND的设计方案，而英特尔则展示了其144层的3D QLC NAND产品。
关于3D TLC部分，三星、SK hynix和KIOXIA / WD分享了下一代3D TLC的详细信息。其中，三星在性能方面表现突出，其读取延迟最低且写入速度最快。然而，在位密度方面仍存在明显差距，并声称当前这一代产品的位密度提升了70%。三星通过避免使用串叠结构，能够将128层堆栈作为单层进行制造，而竞争对手则不得不将堆栈分为两层，从而增加了晶圆厂的工艺步骤。由于采用了串叠方式，三星在密度上处于劣势。若将这一技术转变推迟一代，并结合其他技术（如CMOS underArray layout），则可实现更高的密度提升。而在涉及垂直通道高宽比蚀刻这一关键制造步骤时，三星已经领先于竞争对手多年。
SK hynix和KIOXIA / WD所展示的TLC产品存在一定差异：SK hynix采用的是512Gb容量的芯片，而KIOXIA则推出了1Tb容量的产品。尽管KIOXIA强调其NAND接口速度更高，但两者在性能与密度方面表现相近。此外，KIOXIA与Western Digital宣布推出162层的3D NAND