功率半导体的电阻正负温度系数

功率半导体的正负温度系数

• 正负温度系数特性

  • 功率电子器件

  • 硅IGBT器件（Si IGBT）

    • 硅MOS管模块（Si Mos）
    • 碳化硅MOS管模块（SiC Mos）
    • 硅整流模块（Si Rectify）
    • 硅Schottky二极管模块（Si schottky）
    • 碳化硅Schottky二极管模块（SiC schottky）

  • 总结

基于成本效益考量，在整机设计中普遍存在许多功率变换器采用了半导体并联方案。在提高均流效率方面面临的技术难点是显著的。如今新型半导体器件的应用日益广泛，在硬件层面有哪些类型的半导体适合采用并联结构？哪些不适合？这些问题值得深入探讨。

正负温度系数

功率半导体的管压降受温度的不同影响而呈现不同的特性。管压降的变化与温度变化呈正相关关系，并属于正温系数特性。具体而言，在正温系数情况下：当温度升高时管压降增大；当温度降低时管压降减小。相反地，在负温系数情况下：当温度升高时管压降减小；而当温度降低时管压降增大。

具有正温度效应特性的半导体材料，在其串联状态下（即两个或多个这样的半导体并联使用），当某一工作点处的电流压力显著高于其他组件时，则会导致整个电路模块出现温升现象。这种温升进一步加剧了管压降明显上升的趋势。然而由于这些元件是串联状态（即并联结构），随着管压