分析PVD/CVD性能

PVD与CVD性能比较
CVD定义：
在衬底表面通过气态物质的化学反应形成一层薄膜材料的过程。
CVD技术特点：
具有沉积温度较低、薄膜成分与厚度易于调控、均匀性与重复性良好、台阶覆盖效果优良、适用范围广泛以及设备结构简单等多重优势。
CVD方法几乎可以用于制备集成电路工艺中所需的各类薄膜，例如掺杂或未掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅以及金属（如钨、钼）等。
影响台阶覆盖能力的关键因素在于气相沉积技术所具备的“绕镀性”。
根据其工作原理，气相沉积技术可划分为化学气相沉积（CVD, Chemical Vapor Deposition）和物理气相沉积（PVD, Physical Vapor Deposition）。
相较于PVD，CVD有哪些优势？
与材料特性相关的性质——晶体结构和理想配比均表现良好。
薄膜成分及膜厚易于调控。
*沉积温度较低。
*台阶覆盖能力优异（step coverage）。
化学气相沉积系统构成包括：
气体源，可以是气态或液态；气体输入管道；气体流量控制系统；反应室；基座加热及控制系统；温度控制及测量系统；减压系统（如LPCVD和PECVD）。

CVD系统的分类如下：常压化学气相沉积（APCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等离子增强化学气相沉积（PECVD）以及常规化学气相沉积（CVD）